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找到关键词“半导体物理学第四章答案”相关内容 3搜索耗时:0.0079秒

导体理学四章答案

四章习题及答案 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求 Ge 的载流子浓度。 解:在本征情况下,inpn,由)(/pnipnuuqnpqunqu111 知 3131910292190039001060214711...

时间:2025-02-08 18:23栏目:行业资料

导体理学(刘恩科第七版)课后习题解四章习题及答案

四章习题及答案 1. 300K时,Ge的本征电阻率为47cm,如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求 Ge 的载流子浓度。 解:在本征情况下,inpn,由)(/pnipnuuqnpqunqu111 知 3131910292190039001060214711...

时间:2025-02-08 18:23栏目:行业资料

导体理学(刘恩科)课后习题解四章答案

时间:2025-02-08 18:23栏目:行业资料

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