I摘要 碳化硅材料作为第三代宽带隙半导体材料,具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特点,在高温、高频、大功率、抗辐射等领域,尤其是高温或强腐蚀性等恶劣环境中具有巨大的应用潜力。在 SiC 众多多型体...
时间:2025-04-19 11:56栏目:行业资料
