精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC 大功率肖特基二极管器件设计及工艺讨论的开题报告1. 讨论背景4H-SiC（碳化硅）材料因其具有高电场强度、高温稳定性、较高的载流能力和低的反向漏电流等优点，已经广泛应用于高功率电子...

时间:2025-02-07 08:58栏目:行业资料