精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC PiN 结同位素电池的讨论的开题报告一、讨论背景4H-SiC (4H-碳化硅) 是目前广泛使用的氮化物半导体材料的替代品之一，拥有高能隙、高饱和漂移速度和高辐射稳定性等优异特性，在电能转换、高...

时间:2025-02-07 08:58栏目:行业资料