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Ga2O3薄膜磁控溅射制备及其性能研究开题报告

精品文档---下载后可任意编辑Ga2O3 薄膜磁控溅射制备及其性能讨论开题报告一、讨论背景及意义:氧化镓(Ga2O3)是一种重要半导体材料。由于其宽带隙(4.5~4.9 eV)和高电子亲和能(4.9 eV),在光电器件、高温传感器、深紫...

时间:2025-02-08 10:34栏目:行业资料

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