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GaAs1-xBix电子结构光学性质理论研究中期报告

精品文档---下载后可任意编辑GaAs1-xBix 电子结构光学性质理论讨论中期报告GaAs1-xBix 是一种新型半导体材料,其引入掺杂元素 Bi 在GaAs 晶格中具有较大原子半径和高电负性,导致 GaAs 晶体结构发生畸变,形成高度峰化...

时间:2025-02-08 10:34栏目:行业资料

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