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GaN-HEMT物理模型器件耐压研究开题报告

精品文档---下载后可任意编辑AlGaN/GaN HEMT 物理模型器件耐压讨论开题报告一、选题背景及意义AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频功率放大器、微波通信、雷达等领域具有广泛应用前景。然而,AlGaN/GaN HEMT 器件在实...

时间:2025-02-08 10:38栏目:行业资料

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