精品文档---下载后可任意编辑AlGaN 沟道异质结材料与器件讨论的开题报告1. 讨论背景AlGaN 材料是一种大禁带宽(半导体能带隙较大)的 III-V 族二元或三元混合化合物半导体材料，在紫外到深紫外波段有着广泛的应用前景。AlGaN 材料...

时间:2025-02-07 09:29栏目:行业资料