精品文档---下载后可任意编辑GaN 同质衬底制备及 MOCVD 外延生长的开题报告1. 讨论背景和意义GaN（氮化镓）讨论是当前化学材料讨论领域的热点之一。GaN 材料具有宽带隙、高电子迁移率、优良的热导率等优良性能，因此在LED、激...

时间:2025-02-08 10:39栏目:行业资料