精品文档---下载后可任意编辑GaN 基 LED 外延工艺结构改进的讨论的开题报告一、选题背景氮化镓（GaN）材料由于其宽带隙、高电子迁移率、优异的热稳定性以及良好的辐射效率等特性，成为了高亮度发光二极管（LED）、高功率半...

时间:2025-02-08 10:39栏目:行业资料