精品文档---下载后可任意编辑AlGaN/(Al)GaN 量子阱结构的生长与物性讨论的开题报告开题报告一、选题背景和意义氮化铟(InN)在短波长应用上有着广泛的应用前景,尤其是在紫外激光器、高速电子器件、高频功率放大器等方面...
时间:2025-02-08 10:42栏目:行业资料