精品文档---下载后可任意编辑P 型 FinFET 源漏区 SiGe 外延和应力的讨论的开题报告1. 讨论背景与意义：FinFET 是一种三维晶体管结构，相比二维晶体管具有更好的控制、较小的漏电流以及更高的开关速度等优点，并被广泛应用于目...

时间:2025-02-10 09:57栏目:行业资料