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PDSOI-MOS器件剂量辐射应和FDSOI迁移MOS器件研究的开题报告

精品文档---下载后可任意编辑PDSOI MOS 器件剂量辐射应和 FDSOI 迁移 MOS 器件讨论的开题报告一、讨论的背景和意义随着集成电路向技术尺寸的持续缩小,器件的进展日趋复杂,器件辐射应问题也日益引起了人们的关...

时间:2025-02-10 09:36栏目:行业资料

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