精品文档---下载后可任意编辑高迁移率 SiGe/sSOI 量子阱 MOSFET 及 NiSiGe 源漏接触讨论的开题报告摘要：本文提出了一种新型的高迁移率 SiGe/sSOI 量子阱 MOSFET 及NiSiGe 源漏接触的讨论，旨在将其用于下一代高性能集成电路的设计中。...

时间:2025-02-10 21:12栏目:行业资料