半导体化学清洗总结CompanyDocumentnumber:WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998化学清洗总结① 自然氧化膜约厚，其与 NH40H、H2；② Si02 的腐蚀速度随 NH40H 的浓度升高而加快；③ Si 的腐蚀速度，随 NH40H 的浓度升高而快当，；④ NH40H 促进腐蚀，H2O2 ...

时间:2025-04-13 06:04栏目:行业资料