TEAM: ThrEshold Adaptiv e Memristor Model 1. 介绍 2. 对忆阻装置特征的需求：随内部状态改变的阻值；非易失性；内部状态依赖于电荷的非线性，电流越高改变越大（保证无损的读取机制）； 3. 如今提出的忆阻模型： A. 基本需求：精确，...

时间:2025-02-22 12:00栏目:行业资料