...。A.金属螺纹壳 B.顶芯 C.任一接线端子 D.无安全规定 9.当晶体管处在放大状态时，其特征是：发射结处在()偏置，集电结处在反向偏置。A.正向 B.反向 C.左向 D.右向 10.当车间电气火灾发生时，应首先切断电源，切断电源的措施是...

时间:2025-04-10 16:03栏目:高等教育

...类 按照所用电路元器件的不同可以分为电子管毫伏表、晶体管毫伏表和集成电路毫伏表；按照所能测量信号的频率范围的不...

时间:2025-03-13 09:32栏目:行业资料

...（闭卷） 考试时间 180 分钟 考试总分 150 分 参考书目 《晶体管原理与设计》(第二版) 陈星弼 张庆中 电子工业出版社 一、总体要求 二、内容及比例 一维形式的半导体器件基本方程，基本方程的主要简化形式。 突变结与线性缓...

时间:2025-03-12 14:56栏目:行业资料

...元件。SMPS 尽可能少地使用损耗性元器件 (如电阻和线性晶体管)，而主要使用 (理想情况下) 无损耗的元器件：开关晶体管、电容和磁...

时间:2025-03-12 14:14栏目:行业资料

...S-7802A 1 3 函数信号发生器 GFG-8255A 1 4 数字万用表 UT70-A 1 5 晶体管毫伏表 DF2170C １ 100mV~300V 6 两级放大电路实验板 1 三、实验原理 负反馈放大电路是一个带有闭环特征的放大电路，电路的方框图如图 1－1所示，带负反馈的放大电路...

时间:2025-03-06 09:39栏目:行业资料

...电元件是 （A ）精品文档---下载后可任意编辑 Ａ、光敏晶体管 Ｂ、光敏电阻 Ｃ、光电管 Ｄ、光电倍增器 10、以下关于温度测量的说法中不正确的是 （ A） Ａ、热电偶、热电阻都是常用的测温方法，但热电偶用于中低温度区测...

时间:2025-02-28 09:10栏目:行业资料

...平衡的重要特征是 接有电阻的对角线中电流为零 。 22、晶体管特性图示仪是一种能在 示波管的屏幕上显示出各种 半导体器件特性曲线 的测量仪器。23、无线电波传播的...

时间:2025-02-26 08:11栏目:行业资料

...的变化，甚至出现故障。高速、低功耗的 SiGe 异质结双极晶体管（SiGe HBT）因其高理论频率、良好的线性性能和低噪声等优点而被广泛应用于射频和微波上。然而，SPE 对 SiGe HBT 器件的损伤机理及其影响还不为人们所熟知。本讨...

时间:2025-02-10 11:01栏目:行业资料

...电路实现的⼿段，也是集成电路设计的基础。⾃从1948年晶体管发明以来，半导体器件⼯艺技术的发展经历了三 个主要阶段：1950年采⽤合⾦法⼯艺，第⼀次⽣产出了实⽤化的合⾦结三 极管；1955年扩散技术的采⽤是半导体器件制...

时间:2025-02-08 18:22栏目:行业资料

...-V 族化合物半导体中主要的讨论对象之一。高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种能够实现高频率、高增益、低噪声和高可靠性的半导体器件，它是 III-V 族材料中典型的功率放大器，特别适用于高频率电子产品的制造。InP 基 HEMT 器...

时间:2025-02-07 08:56栏目:行业资料