...。A.金属螺纹壳 B.顶芯 C.任一接线端子 D.无安全规定 9.当晶体管处在放大状态时,其特征是:发射结处在()偏置,集电结处在反向偏置。A.正向 B.反向 C.左向 D.右向 10.当车间电气火灾发生时,应首先切断电源,切断电源的措施是...
时间:2025-04-10 16:03栏目:高等教育
...类 按照所用电路元器件的不同可以分为电子管毫伏表、晶体管毫伏表和集成电路毫伏表;按照所能测量信号的频率范围的不...
时间:2025-03-13 09:32栏目:行业资料
...(闭卷) 考试时间 180 分钟 考试总分 150 分 参考书目 《晶体管原理与设计》(第二版) 陈星弼 张庆中 电子工业出版社 一、总体要求 二、内容及比例 一维形式的半导体器件基本方程,基本方程的主要简化形式。 突变结与线性缓...
时间:2025-03-12 14:56栏目:行业资料
...元件。SMPS 尽可能少地使用损耗性元器件 (如电阻和线性晶体管),而主要使用 (理想情况下) 无损耗的元器件:开关晶体管、电容和磁...
时间:2025-03-12 14:14栏目:行业资料
...S-7802A 1 3 函数信号发生器 GFG-8255A 1 4 数字万用表 UT70-A 1 5 晶体管毫伏表 DF2170C 1 100mV~300V 6 两级放大电路实验板 1 三、实验原理 负反馈放大电路是一个带有闭环特征的放大电路,电路的方框图如图 1-1所示,带负反馈的放大电路...
时间:2025-03-06 09:39栏目:行业资料
...电元件是 (A )精品文档---下载后可任意编辑 A、光敏晶体管 B、光敏电阻 C、光电管 D、光电倍增器 10、以下关于温度测量的说法中不正确的是 ( A) A、热电偶、热电阻都是常用的测温方法,但热电偶用于中低温度区测...
时间:2025-02-28 09:10栏目:行业资料
...平衡的重要特征是 接有电阻的对角线中电流为零 。 22、晶体管特性图示仪是一种能在 示波管的屏幕上显示出各种 半导体器件特性曲线 的测量仪器。23、无线电波传播的...
时间:2025-02-26 08:11栏目:行业资料
...的变化,甚至出现故障。高速、低功耗的 SiGe 异质结双极晶体管(SiGe HBT)因其高理论频率、良好的线性性能和低噪声等优点而被广泛应用于射频和微波上。然而,SPE 对 SiGe HBT 器件的损伤机理及其影响还不为人们所熟知。本讨...
时间:2025-02-10 11:01栏目:行业资料
...电路实现的⼿段,也是集成电路设计的基础。⾃从1948年晶体管发明以来,半导体器件⼯艺技术的发展经历了三 个主要阶段:1950年采⽤合⾦法⼯艺,第⼀次⽣产出了实⽤化的合⾦结三 极管;1955年扩散技术的采⽤是半导体器件制...
时间:2025-02-08 18:22栏目:行业资料
...-V 族化合物半导体中主要的讨论对象之一。高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种能够实现高频率、高增益、低噪声和高可靠性的半导体器件,它是 III-V 族材料中典型的功率放大器,特别适用于高频率电子产品的制造。InP 基 HEMT 器...
时间:2025-02-07 08:56栏目:行业资料