晶体管特征频率的测量晶体管特征频率tf的测量定义为共射极输出交短路电流放大系数||随频率增加而下降到 1 小时的工作频率， 它反映了晶体管共发射运用具有电流放大作用的频率极限， 是晶体管的一个重要频率特性参数。tf 主要取决于晶体管的合理的结构设计， 但也与晶体管工作时的偏置条件密切相关。因而，晶体管的特征频率tf 是指在一定集团偏置条件下的测量值。其测试原理通常采用 “增益－带宽”积的方法。本实验的目的是掌握晶体管特征频率tf的测试原理及测量方法，熟悉tf分别随CEV和EI 变化的规律，加深其与晶体管结构参数各工作偏置条件的理解，为晶体管的频率特性设计，制造和应用奠定基础。一、实验原理共发射交流工作下，晶体管发射结电压周期性变化引起发射结，收集结空间电荷区的电荷和其区，发射区，收集区的少子，多子也随之不断重新分布，这种现象可视为势垒电容各扩散电容的充放电作用。势垒电容各扩散电容的充放电使由发射区通过基区传输的载流子减少，传输的电流幅度值下降， 同时产生载流子传输的延时， 加之载流子渡越收集结空间电荷区时间的影响，使输入， 输出信号产生相移， 电流放大系数变为复数， 并且其幅值随频率的升高而下降， 相位移也随频率的升高而增大， 因此，晶体管共发射极交流短路放大系数的幅值和相位移是工作频率的函数。理论上晶体管共发射交流短路放大系数可表示为=bbjjm/1)/exp(0(1) 其幅值和相位角随频率变化的有关系分别为||=2/120])/(1[ff(2) =]/)/([marctg(3) 可见，当工作频率f << f 时，0，几乎与频率无关；当 f = f 时，||=0 /2 , ||下降 3dB；当时， f >> f ，||f =0 f 。根据定义，||=1 时的工作频率即为特征频率Tf ，则有Tf =||f =0 f(4) 另外，当晶体管共基极截止频率af <500MHz 时近似有Tfaf /(1+m)，微波管中Tf =af 。所以关系式 (26.4)表明当工作频率满足f << f
