用 C-V 法讨论锗硅量子阱结构的电学性质：程佩红指导老师：黄仕华摘 要：基于不同偏压围解析求解泊松方程，得到单量子阱结构电容-电压(C-V)特性的理论表达式。并采纳迭代法数值求解泊松方程得到价带结构图与其随外加电压...
时间:2025-04-19 07:32栏目:行业资料
