工艺报告 采用1.2um 的Analog BiCMOS 工艺，两层金属互连线、一层多晶硅，即1P2M 的BiCMOS，电路结构为数模混合的BiCMOS 硅栅结构。P 衬底 P 外延，N 阱，集电极扩散隔离（CDI, collector-diffu sed-isolation）。其典型工艺剖面图如下：其图如...

时间:2025-01-27 12:15栏目:行业资料