精品文档---下载后可任意编辑MOCVD 生长的 InN 表面与Ⅲ族氮化物上生长 Ge 的探究的开题报告一、讨论背景和意义Ⅲ 族氮化物的应用领域日益广泛，已经成为了半导体器件领域中的重要材料之一。而对于Ⅲ族氮化物的生长技术，...

时间:2025-02-09 12:49栏目:行业资料