器件规范规范编码：版本：V2
1密级：内部公开ENP研发部执笔人：物料品质部修订：2005年10月器件应力降额总规范艾默生网络能源有限公司器件规范规范编码：版本：V2
1密级：内部公开ENP研发部执笔人：物料品质部修订：2005年10月修订信息表版本修订人修订时间修订内容V2
0刘海涛、刘善中、王树明、姚天宝、凌太华、朱勇、杨爱泉、朱吉新、胡全年、胡楠、黎晓东、艾项德、王文建、陈宪涛、陈亚秋、罗眉、易序馥2002-11-301、产品保修期等级及I、II工作区定义；2、器件应力考核点定义及考核系数调整；3、增加“器件考核点的测试或计算”说明；4、器件应力降额查检表修改和调整；5、增加器件关键用法查检；6、增加查检器件种类；V2
1刘海涛、刘善中、王树明、姚天宝、朱勇、杨爱泉、朱吉新、胡全年、胡楠、王文建、陈宪涛、陈亚秋、罗眉、易序馥2005-10-301、新增“产品额定工作点”定义；2、对7类器件在产品额定工作点下的关键应力降额系数进行了规定，这些器件包括：MOSFET、IGBT、晶闸管、整流桥、功率二极管、三极管、铝电解电容器；3、除上述器件外，也对部分其它器件，如IC器件、钽电解、保险管等的I、II区降额系数根据实际使用情况作了适当的修订；4、在保险管规范中，新增了“半导体保护用熔断器”降额规定；5、对应降额规范的修订，上述器件的“器件工作应力与降额查检表”作了相应的调整
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