模集复习笔记By 潇然.6.202.2I/V 特征1.I-V 特征2.跨导定义：VGS 对 IDS 控制能力（IDS 对 VGS 改变灵敏度） 饱和区跨导 gm 表示式：2. 线性电阻表示式2.3二级效应1.体效应γ 为体效应系数，经典值 0.3-0.4V-1/2 2. 沟道长度调制效应2.4MOS 器件模型定义：信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由 gm、gmb、rO 等组成低频小信号模型，高频时还需加上 CGS 等寄生电容、寄生电阻（接触孔电阻、导电层电阻等）1.MOS 小信号模型 ① 沟长调制效应引发输出电阻 ② 体效应跨导2.完整 MOSFET 小信号模型用于计算各节点时间常数、找出极点2.5放大器性能参数 AIC 设计八边形法则分别为：速度、功耗、增益、噪声、线性度、电压摆幅、电源电压、输入输出阻抗参数之间相互制约，设计时需要在这些参数间折衷3.2共源级1.电阻负载理想情况：考虑沟长调制效应：2.二极管接法 MOS 做负载 ① NMOS 二极管负载存在体效应时阻抗：忽略 η 随 Vout 改变时，增益只于 W/L 关于，与偏置电流、电压无关，线性度很好。② PMOS 管负载缺点：a. 大增益需要极大器件尺寸 b. 输出摆幅小提升输出摆幅方法：加电流源3.电流源做负载4.深线性区 MOS 管做负载5.带源极负反馈 ① 增益与跨导伴随 RS 增大， Gm 和增益都变为 gm 弱函数,提升了线性度；但以牺牲增益为代价。另外，能够经过以下方法简便计算：Av=“在漏极节点看到电阻”/“在源极通路上看到电阻”② 输出电阻3.3源跟随器（共漏） 1. 负载为 Rs2.负载为电流源3.考虑 rO 和 RL 后增益（注意分析过程）4.负载为理想电流源时输出电阻 Ro3.4共栅级1.不考虑沟长调制效应时增益，体效应造成增益增加2.输入阻抗RD=0 时，共栅级输入阻抗相当于源跟随器输出阻抗，故在 RD 较小时，输入阻抗小3.输出阻抗计算结果同带源极负反馈共源级 Rout，故输出阻抗很大3.5共源共栅级1.增益（不考虑沟长调制）（注意此处为约等于且结果为负，详细增益参考 P71，掌握方法即可）2.输出阻抗M2 管将 M1 管输出阻抗提升为原来（gm2+gmb2）rO2 倍；有利于实现高增益3.其余性质：① 作理想电流源，代价：输出摆幅减小 ② 屏蔽特征：Vout 端有 ΔVout 电压跳变时，表现在 X 点电压跳变很小，屏蔽了输出节点对输入管影响4.折叠共源共栅5.总结：4.2基本差动对1.大信号差分特征上式假定了 M1、M2 均工作在饱和区，然鹅2.大信号共模...
