sonix烧录器培训资料VIP免费

SonixWriter培训资料24/10/19提纲ROM种类ROM一般由专用的装置写入数据，数据一旦写入，不能随意改写，在切断电源之后，数据也不会消失，即具有非易失性。从制造工艺上，有二极管ROM、双极性ROM和MOS型ROM三种；按存储内容存入方式的不同，可以分成MASKROM和可编程ROM；可编程ROM又可细分为一次可编程存储器PROM、光可擦除可编程存储器EPROM、电可擦除可编程存储器EEPROM和快闪存储器FlashROM等。MASKROM（掩模ROM）这种ROM在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改一次可编程存储器PROM•采用保险丝结构•利用足够大的电流将保险丝烧断•只能烧一次光可擦除可编程存储器EPROM采用N沟道叠栅MOS管控制浮栅來改变逻辑0or1烧录方式同PROM通过透明窗用UV可清除DATA，约可重复烧录10-100次其中有一种特殊的叫OTPROMOTPROM的写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。电可擦除可编程存储器EEPROMEEPROM的工作原理类似EPROM；但擦除方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。编程以字为单位，速度快。快闪存储器FlashROM结构类似EPROM；源极大于漏极；氧化绝缘层较薄；擦除以整块或分块进行，一般整片需要几秒钟（源极连在一起）；写入以word单位。EPROM烧录原理当浮栅上没有电荷时，给控制栅加上控制电压，MOS管导通；当浮栅带负电荷，则衬底表面感应正电荷，使MOS管的开启电压变高；给以同样的控制电压，MOS管仍处于截止状态；可以利用浮栅是否累积有负电荷来存储二进制数据。EPROM烧录原理a)写入数据前，浮栅不带电，因此为Logic1；b）在MOS管的漏、栅极加足够高的电压，使漏极及衬底间的PN结反向击穿，产生大量的高能电子，这些电子穿过很薄的氧化绝缘层堆积在浮栅上，从而浮栅带负电荷；当移去外加电压后，浮栅上的电子由于没有放电回路，因此能够长期保存为Logic0；EPROM烧录原理c）当用紫外线或X射线照射时，浮栅上的电子形成光电流而释放，从而恢复到写入前的状态；SonixMCU烧录方式---并行烧录SN8P1XMCU采用并行烧录方式；•VXX：5.0V•VPP：12.7VSonixMCU烧录方式---串行烧录Sonix2XMCU采用串行烧录方式；高压MCU：•VXX：5.0V•VPP：12.7V低压MCU：•VXX：3.3V•VPP：7.5VSonixWriter种类EZWriterEZWriter是一款简易型烧录器，不支持新开出的IC。EZWriter为工程版烧录器，不支持量产烧录，仅供开发使用。由ICE控制烧录动作，免除软件升级的困扰，但烧录时需要PC机和ICE辅助，不适合量产烧录；EZWriter---与仿真器连接（1系列仿真器）注：EZWriter与２系列仿真器连接同与1系列仿真器连接。EZWriter---与烧录转接板连接MPWriter为了提供客户稳定的量产型单机烧录器，因此结合EZWriter和内建七段数码管、EEPROM的控制底板，组成支援单机烧录的MPWriter；GangWriter•为提高OTP型MCU的脱机烧录效率，以MPWriter为基础设计了GangWriter。•GangWriter采用了USB接口用于烧录代码下载，可进行一拖四烧录；目前此烧录器仅支持SN8P2000系列芯片的烧录；MPIIIWriterMPIIIWriter是基于MPWriter进行功能升级的一款烧录器，扩展有USB接口和ISP功能，可方便用户采用USB下载芯片烧录代码（SN8），并且同步升级芯片的烧录控制程序（DRV）。分为高压版（下图左）、低压版（下图右）。MPPROWriter40Pin及以内的MCU无需烧录转接板；烧录时间大大缩短；即插即用（HID界面）；4行LCD提示信息；MPIIIWriter操作指导参考MPIIIWriter使用手册Q&A