二级管工作原理（PN 结原理）学习前面已经写了两篇介绍放大器应用和 MOSFET 作驱动的文章：常规放大电路和差分放大电路和 MOSFET 使用与 H 桥驱动问题 。但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下，今天写下这篇文章，主要是介绍二极管的工作原理，为后面的三极管和 MOSFET 工作原理的理解打下基础，然后，应该能理解放大器的工作原理，最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了。P（Positive）型和 N（Negative）型可根据它们的载流子（载流子说得比较学术，其实就是导体里面能流动的带电粒子，为电子或者是空穴，空穴可以看作是带正电的电子）来区分。对半导体材料（一般应该是硅 Si）参入不同的杂质，就可以形成 P 型半导体和 N 型半导体。P 型半导体里面能够流动的粒子是空穴，N型半导体里面能够流动的粒子是电子。它们的结构如下图 1 所示，对于它们俩如何参杂以形成不同的半导体，我们可没必要再研究下去，Q❶・QQ❶・QQO.Q^^TkgHd画口二、區、(2W3I)画®-KgEMN、M-面汩硼 Nra叵生圧$嫌«、删刪摩旺、—以、、({<糾)画®mgHME、S届艇丘K-mN、、zwEm画 d简单了解了 P 型半导体和 N 型半导体之后,我们常说的 PN 结是如何形成的呢,且看下方图 2 动图。当 P 型半导体和 N 型半导体接合在一起的时候,由于 P 型半导体中空穴浓度高，而 N 型半导体中电子浓度高，因此会形成一个扩散运动，P 型半导体中空穴会向它浓度低的地方扩散，从而扩散到 N 型区，N 型半导体的电子也会向它浓度低的地方扩散，从而扩散到 P 型区。这样一来，P 型区剩下不能自由移动的负离子，而 N 型区剩下不能自由移动的正离子，一正一负，在 PN 结内部形成了一个从左往右的内电场，基本上这个内电场就体现 PN 结的工作特性。另外有一点要说明的是，PN 结只是局部带电，即 P 型区呈负电，而 N 型区呈负电，但是它们俩一中和，整体上是呈中性的。Q❶・QQ❶・QQO.QP 型区空间电荷区 N 型区P 型区空间电荷区 N 型区P 型区空间电彳可区 N 型区P 型区空间电彳可区 N 型区图 3PN 结接正向电压工作过程当 PN 结接反向电压时，P 型区的空穴会被电子抵消掉，而 N 型区电子会流动到电源的正极，这样一来，会有助于内电场强度增强，更不利于电子通过PN 结。内电场不停地增强，会超过外部电源形成的电场强度，超过之后，电子就不能够通过 PN 结了。在外部看来，就是反向电阻无穷大了。P 型区空间电何区P 型区空间电何区
