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MOS晶体管的发展概况及特点VIP免费

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MOS晶 体 管 的 发 展 概 况 及 其 特 点 引 言 : 在 过 去 的 近 十 年 , 大 规 模 集 成 电 路 技 术 突 飞 猛 进 , 很 大 程 度 上 与 MOS 晶 体 管 的 使 用和 发 展 有 关 系 。 MOS 晶 体 管 自 从 进 入 集 成 电 路 制 造 行 业 , 通 过 不 断 的 发 展 , 至 今 已 成 为 工 业中 最 重 要 的 电 子 器 件 之 一 。 但 是 , 电 子 信 息 产 业 的 发 展 对 集 成 元 器 件 提 出 了 更 高 的 要 求 , 如何 在 已 有 的 MOS 晶 体 管 技 术 上 实 现 下 一 代 MOS 晶 体 管 技 术 也 是 需 要 我 们 去 思 考 的 问 题 。本 文旨 在 对 MOS 晶 体 管 的 发 展 概 况 及 其 特 点 做 一 个 概 要 的 介 绍 , 并 在 此 基 础 上 , 根 据 作 者 已 有 的知 识 谈 谈 晶 体 管 的 发 展 趋 势 。 MOS晶 体 管 的 概 念 MOS 晶 体 管 的 全 称 是 金 属 -氧 化 物 -半 导 体 场效应管 (Metal Oxide Semiconductor)。在 竖直方向上 , MOS 晶 体 管 是 由栅电 极、栅绝缘层和 半 导 体 衬底构成 的 一 个 层次结构, 在 水平方向上 , MOS 晶 体 管 由源区、沟道区和 漏区3 个 区构成 , 沟道区和 硅衬底相通 , 也 叫做 MOS晶 体 管 的 体 区。 一 个 MOS 晶 体 管 有 4 个 引 出 端: 栅极、源极、漏极和 体 端。 因 为 栅极通 过 二氧 化 硅绝缘层和 其 他 区域 隔 离 , MOS 晶 体 管 又 叫做 绝缘场效应晶 体 管 。 MOS晶 体 管 的 发 展 1.MOS 晶 体 管 的 发 展 历 史 MOS 晶 体 管 的 发 明 可 追 溯 到 20 世 纪 30 年 代 初 。 1930 年 , 德 国 科 学 家 Lilienfeld(利林 费 尔 德 )提 出 了 场效应晶 体 管 的 概 念 。 之 后 , 贝 尔 实 验 室 的 Shockley(肖 克 利 )、Bardeen(巴 丁 )和 Brattain(布 拉 顿 )开 始 尝 试 发 明 场效应晶 体 管 。 尽 管 这 一 尝 试 以 失 败 告 终 ,却 最 终 导 致 Bardeen 和 Brattain 在 1947 年 意 外 地 发 明 ...

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