MOS晶 体 管 的 发 展 概 况 及 其 特 点 引 言 ： 在 过 去 的 近 十 年 ， 大 规 模 集 成 电 路 技 术 突 飞 猛 进 ， 很 大 程 度 上 与 MOS 晶 体 管 的 使 用和 发 展 有 关 系 。 MOS 晶 体 管 自 从 进 入 集 成 电 路 制 造 行 业 ， 通 过 不 断 的 发 展 ， 至 今 已 成 为 工 业中 最 重 要 的 电 子 器 件 之 一 。 但 是 ， 电 子 信 息 产 业 的 发 展 对 集 成 元 器 件 提 出 了 更 高 的 要 求 ， 如何 在 已 有 的 MOS 晶 体 管 技 术 上 实 现 下 一 代 MOS 晶 体 管 技 术 也 是 需 要 我 们 去 思 考 的 问 题 。本 文旨 在 对 MOS 晶 体 管 的 发 展 概 况 及 其 特 点 做 一 个 概 要 的 介 绍 ， 并 在 此 基 础 上 ， 根 据 作 者 已 有 的知 识 谈 谈 晶 体 管 的 发 展 趋 势 。 MOS晶 体 管 的 概 念 MOS 晶 体 管 的 全 称 是 金 属 -氧 化 物 -半 导 体 场效应管 （Metal Oxide Semiconductor）。在 竖直方向上 ， MOS 晶 体 管 是 由栅电 极、栅绝缘层和 半 导 体 衬底构成 的 一 个 层次结构， 在 水平方向上 ， MOS 晶 体 管 由源区、沟道区和 漏区3 个 区构成 ， 沟道区和 硅衬底相通 ， 也 叫做 MOS晶 体 管 的 体 区。 一 个 MOS 晶 体 管 有 4 个 引 出 端： 栅极、源极、漏极和 体 端。 因 为 栅极通 过 二氧 化 硅绝缘层和 其 他 区域 隔 离 ， MOS 晶 体 管 又 叫做 绝缘场效应晶 体 管 。 MOS晶 体 管 的 发 展 1.MOS 晶 体 管 的 发 展 历 史 MOS 晶 体 管 的 发 明 可 追 溯 到 20 世 纪 30 年 代 初 。 1930 年 ， 德 国 科 学 家 Lilienfeld（利林 费 尔 德 ）提 出 了 场效应晶 体 管 的 概 念 。 之 后 ， 贝 尔 实 验 室 的 Shockley（肖 克 利 ）、Bardeen（巴 丁 ）和 Brattain（布 拉 顿 ）开 始 尝 试 发 明 场效应晶 体 管 。 尽 管 这 一 尝 试 以 失 败 告 终 ，却 最 终 导 致 Bardeen 和 Brattain 在 1947 年 意 外 地 发 明 ...
