MOS管的基本知识（转载） 2011-05-07 06:39:32| 分类： 电路硬件设计 | 标签： |字号大中小 订阅 现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了 PFC 技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于 MOS 管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把 MOS 管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。 一、什么是 MOS 管 MOS 管的英文全称叫 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此， MOS 管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，MOS 管通常被用于放大电路或开关电路。 1、MOS 管的构造； 在一块掺杂浓度较低的P 型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极 D 和源极 S。然后在漏极和源极之间的P 型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN 型）增强型MOS 管。显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。图1-1 所示 A 、B 分别是它的结构图和代表符号。 同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N 型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P 沟道（PNP 型）增强型MOS 管。图1-2 所示A 、B 分别是P 沟道MOS 管道结构图和代表符号。 图1 -1-A 图1 -2-A 2、MOS 管的工作原理：图1-3 是N 沟道MOS 管工作原理图 图1-3-A 图1-3-B 从图1-3-A 可以看出，增强型MOS 管的漏极D 和源极S 之间有两个背靠背的PN 结。当栅-源电压 VGS=0 时，即使加上漏-源电压 VDS，总有一个PN 结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流 ID=0。 此时若在栅-源极间加上正向电压，图1-3-B 所示，即 VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2 绝缘层中便产生一个栅极指向 P 型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压 VGS 无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS 等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着 VGS ...
