精品文档---下载后可任意编辑200V 功率 SOI-PLDMOS 器件热载流子退化机理讨论中期报告中期报告：1.讨论背景随着电子设备的进展，人们对功率器件的要求越来越高，SOI-PLDMOS 器件由于具有低电源电压、低漏电流和高耐受电压等优点，被广泛应用于电源管理和驱动器。然而，热载流子会对器件的性能产生严重的影响，导致其退化。因此，讨论 SOI-PLDMOS 器件的热载流子退化机理是非常重要的。2.讨论目的本讨论旨在探究 200V 功率 SOI-PLDMOS 器件热载流子的退化机理，为器件的设计和优化提供理论支持。3.讨论内容（1）对 SOI-PLDMOS 器件进行电性能测试，得到器件的静态和动态特性参数。（2）通过退火实验和温度扫描实验，讨论器件的热载流子退化过程，并分析其机理。（3）通过模拟分析，探究器件结构和工艺参数对热载流子退化的影响。4.预期成果通过本次讨论，估计能够得到以下成果：（1）确定 200V 功率 SOI-PLDMOS 器件热载流子的退化机理。（2）分析器件结构和工艺参数对热载流子退化的影响。（3）为进一步优化 SOI-PLDMOS 器件设计提供理论依据。
