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GaN基外延材料缺陷与应变分析及缺陷抑制方法研究的开题报告

GaN基外延材料缺陷与应变分析及缺陷抑制方法研究的开题报告_第1页
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精品文档---下载后可任意编辑GaN 基外延材料缺陷与应变分析及缺陷抑制方法讨论的开题报告摘要:本次讨论旨在探究氮化镓(GaN)基外延材料的缺陷与应变分析,以及缺陷抑制方法的讨论。首先,介绍了 GaN 材料的基本特性和应用领域,以及 GaN 基外延材料在高速运动器件和微波器件中的应用。然后,讨论了 GaN 材料的成长方法,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和气相传输反应(VTR)等,以及这些方法所面临的一些问题。接着,介绍了 GaN 材料的常见缺陷,如异质结附近的缺陷、位错等。并且,介绍了文献中常用的缺陷分析方法,如热发射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)等。最后,讨论了 GaN 材料的应变影响,以及在缺陷抑制中的作用和方法。本讨论将从以下几个方面展开:1.讨论 GaN 基外延材料的成长方法,并比较各种方法之间的差异性,以及不同成长条件下 GaN 材料缺陷的出现情况。2.利用热发射电子显微镜(TEM)等方法对 GaN 材料中的缺陷进行分析,探究各种缺陷的形成机制。3.讨论 GaN 材料的应变分布情况,分析应变对材料性能的影响,并寻找缺陷抑制的方法。估计的讨论成果如下:1.掌握 GaN 基外延材料的成长方法和缺陷特性,为后续的讨论打下基础。2.讨论 GaN 材料的应变分布和缺陷分析方法,探究缺陷抑制的途径。3.提出一些缺陷抑制的策略,并进行初步实验验证。关键词: 氮化镓,外延材料,缺陷,应变,缺陷抑制

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