精品文档---下载后可任意编辑GaN 基电子器件势垒层应变与极化讨论中期报告1. 讨论背景：GaN 基电子器件应变与极化效应一直是热门讨论领域之一。应变可以影响材料的电学、光学、力学性质等方面，而极化则可引起电荷分布的改变，进而影响器件性能。因此，深化讨论 GaN 基电子器件的应变与极化效应，对其性能优化具有重要意义。2. 讨论内容：本讨论通过模拟分析和实验讨论的手段，对 GaN 基电子器件的应变与极化效应进行探究。具体讨论内容如下：（1）基于 DFT 计算方法，探究 GaN 材料中不同类型应变对势垒层的影响程度。（2）基于有限元模拟方法，讨论不同形状、尺寸的 GaN 基器件中势垒层和电场分布的变化规律。（3）通过制备 GaN 基电子器件样品及器件测试系统，讨论不同应变下器件性能的变化及其原因。3. 讨论目标：本讨论的目标是深化理解 GaN 基电子器件中应变与极化效应的规律，为其性能优化提供有效的理论和实验支撑。具体目标包括：（1）探究 GaN 材料中不同类型应变对势垒层的影响程度，建立应变与势垒层高度的关系模型。（2）讨论不同形状、尺寸的 GaN 基器件中势垒层和电场分布的变化规律，为器件性能优化提供理论基础。（3）讨论不同应变下器件性能的变化及其原因，为实现高性能GaN 基电子器件提供实验支持。4. 讨论意义：本讨论可以深化理解 GaN 基电子器件中应变与极化效应的规律，为其性能优化提供有效的理论和实验支撑。讨论结果有助于：（1）准确预测 GaN 材料中应变的影响，为设计和制备高性能 GaN基器件提供理论基础。精品文档---下载后可任意编辑（2）深化理解 GaN 基器件的物理机制，为其性能优化提供理论指导。（3）对 GaN 基电子器件的应变与极化效应进行深化讨论，为下一步讨论提供新的思路和方向。
