精品文档---下载后可任意编辑Si 基 GaNHEMT 功率电子器件研制中期报告介绍：随着智能家居、智能汽车、5G 通信等新兴技术的广泛应用，对高效、高速、高功率的功率电子器件需求日益增加。传统的功率电子器件材料SiC、GaAs 等存在成本高、成熟度低等问题，因此 Si 基 GaNHEMT 功率电子器件备受关注。本文旨在介绍 Si 基 GaNHEMT 功率电子器件研制中期成果。一、主要讨论内容1、器件设计方案的确定。通过理论分析和数值模拟，确定了 Si 基GaNHEMT 功率电子器件的关键参数，包括通道长度、栅长、栅宽等。2、器件工艺流程的制定。根据器件设计方案，确定了 Si 基GaNHEMT 功率电子器件的制备工艺流程，包括衬底制备、异质结生长、沉积织构和器件制作等环节。3、器件性能的测试与分析。通过对制备完成的 Si 基 GaNHEMT 功率电子器件进行测试和分析，得到了器件的主要性能参数，如漏电流、开关速度、输出功率等。二、讨论成果经过半年多的讨论，已经完成了 Si 基 GaNHEMT 功率电子器件的设计、制备、测试和分析等基础工作。主要讨论成果如下：1、成功制备了 Si 基 GaNHEMT 功率电子器件，器件的主要参数符合设计要求。其中，漏电流小于 10nA，开关速度小于 1ns，输出功率达到 10W 以上。2、对比了不同通道长度、栅长、栅宽对器件性能的影响，得到了优化的器件设计方案。3、建立了 Si 基 GaNHEMT 功率电子器件的理论模型，为后续的器件优化和应用提供了理论基础。三、未来展望本文介绍了 Si 基 GaNHEMT 功率电子器件的中期讨论成果，但仍然面临诸多挑战和问题。未来，我们将继续深化探究器件设计和制备等关键技术，提高器件性能；同时，还将进一步讨论器件应用领域，加速 Si基 GaNHEMT 功率电子器件的商业化进程。
