精品文档---下载后可任意编辑低压双电层氧化物薄膜晶体管的讨论的开题报告一、选题背景氧化物半导体是近年来讨论的热点，其具有高载流子迁移率、低漏电流、高稳定性等优良特性，是取代传统硅基材料的重要候选物。而氧化物薄膜晶体管（TFT）作为氧化物半导体的最广泛应用形式之一，除了具有氧化物半导体的诸多优点外，还具有制造成本低、制程简单、透明度高等特点，被广泛运用于平面显示、光伏、传感器等领域中。然而目前普遍存在的问题是，常规的低温氧化物薄膜制备方法（如 PECVD、热氧化等）在制备高品质晶体管时仍存在特性卷曲、漏电流大、平整度不高等问题，需要寻求新的解决途径。二、讨论目的本课题旨在讨论一种新型低压双电层（LDL）结构的氧化物薄膜晶体管，通过在电解液中浸泡氧化物薄膜，利用 I- V 曲线法等手段来分析器件特性，并对其制备工艺及性能进行深化探讨。讨论结果有望为氧化物 TFT 的高品质制备提供新思路和技术路径。三、讨论内容1、利用化学法制备氧化物薄膜；2、讨论电解液条件对氧化物薄膜性能的影响；3、讨论在不同氧化物表面引入 LDL 结构后的各项性能表现；4、通过 I-V 特性曲线测试等方法，深化探究 LDL 结构氧化物 TFT的物理机理。四、讨论方法1、采纳溶胶-凝胶法制备氧化物薄膜；2、利用电极电位振荡法（EPO）等手段制备 LDL 结构；3、采纳场发射扫描电镜（FESEM），透射电子显微镜（TEM）等表征手段分析薄膜和器件表面形貌和结构；4、分别采纳自行搭建的 I-V 测试系统和 C-V 测试系统等手段测试LDL 结构晶体管的性能参数。五、预期成果1、成功制备一种新型低压双电层（LDL）结构的氧化物薄膜晶体管；精品文档---下载后可任意编辑2、深化讨论 LDL 结构氧化物 TFT 的性能特点及物理机理；3、提出一种新型氧化物 TFT 制备思路；4、发表与该课题相关的学术论文 1-2 篇。六、参考文献1、Kim SJ, Jung SW, Park JS, et al. Deposited and spin-coated Ta2O5 layers for low voltage thin-film transistors. Appl Surf Sci, 2024, 473: 577-583.2、Cao BJ, Tang J, Gong LQ, et al. Fabrication of transparent, flexible, and high-performance In2O3/ZnO heterostructure thin film transistors by sol-gel method. Sol Energ Mat Sol C, 2024, 200: 109953.
