精品文档---下载后可任意编辑09 届本科毕业设计(论文)外文文献翻译学院：物理与电子工程学院专业：光电信息工程姓名：徐驰学号： Y05209222 外文出处：Surface & CoatingsTechnology 214 （ 2024 ） 131-137 附件： 1. 外文资料翻译译文； 2. 外文原文。 附件 1：外文资料翻译译文气体温度通过 PECVD 沉积对 Si：H 薄膜的结构和光电性能的影响摘要气体温度的影响（TG）在等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）生长的薄膜的结构和光电特性：H 薄膜已使用多种表征技术讨论。气体的温度被确定为制备工艺的优化、结构和光电薄膜的性能改进的一个重要参数。薄膜的结构性能进行了讨论使用原子力显微镜（AFM），傅立叶变换红外光谱（FTIR），拉曼光谱，和电子自旋共振（ESR）。此外，光谱椭偏仪（SE），在紫外线–可见光区域的光传输的测量和电气测量被用来讨论的薄膜的光学和电学性能。它被发现在 Tg 的变化可以修改的表面粗糙度，非晶网络秩序，氢键模式和薄膜的密度，并最终提高光学和电学性能。1.介绍等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）是氢化非晶硅薄膜制备一种技术，具有广泛的实际应用的重要材料。它是用于太阳能电池生产，在夜视系统红外探测器，和薄膜晶体管的平板显示装置。所有这些应用都是基于其良好的电气和光学特性以及与半导体技术兼容。然而，根据 a-Si 的性质，PECVD 制备 H 薄膜需要敏感的沉积条件，如衬底温度，功率密度，气体流量和压力。许多努力已经花在制备高品质的薄膜具有较低的缺陷密度和较高的结构稳定性的 H 薄膜。众所周知，衬底温度的强烈影响的自由基扩散的生长表面上，从而导致这些自由基更容易定位在最佳生长区。因此，衬底温度一直是讨论最多的沉积参数。至于温度参数在 PECVD 工艺而言，除了衬底温度，气体温度（Tg）美联储在 PECVD 反应室在辉光放电是定制的 a-Si 的性能参数：H 薄膜的新工艺。事实上，TG PECVD 系统的变化可以影响等离子体的能量在辉光放电，并最终改变了薄膜的性能。根据马丁吕，当薄膜制作接近前后颗粒的形成机制在 a-Si∶H 薄膜，薄膜性能对 TG 的相关性比衬底温度更为显著。然而，大多数的讨论到目前为止只集中在衬底温度的影响。在我们以前的讨论中，我们报道的气体温度对磷的结构演化的影响掺杂的 a-Si∶H 薄膜的拉曼光谱。结果表明，存在的无定形网络逐步有序，在不久的表面和内部的 Tg 增加区域，导致更高质量的 a-Si∶H 薄膜。但是进...
