1 2．载流子的运输现象 在这一节中，我们将会去分析各种各样的载流子运输现象。这种现象发生在电场和浓度梯度影响下半导体中的载流子运动。我们先讨论剩余载流子注入的概念。剩余载流子在非平衡条件下会增加，这就是说，载流子的浓度的乘积 p*n 不等于平衡时 ni*ni 的值。回到平衡条件下，载流子的产生和复合过程将会在后面的章节中讨论到。我们在半导体的装置运算中取得一个基本的控制方程，它包括电流密度方程和连续方程。这一节我们对高场效应作了一个简单的讨论，高场效应会导致速度饱和和碰撞电离。这一节讨论到这就结束了。P18 P16 考虑一个在热平衡条件下的为均匀施主浓度 n-类型的半导体样品，如在第 1.1 节中所讨论的,在半导体导带中的传导电子，由于他们没有与特别的晶格或施主位置有关，所以基本上是自由的电子。晶格的影响是合并在一起的，电子的有效质量和电子的惯性质量有点不同。在热平衡下， 那平均传导电子的平均热能可以从平均分配定理获得，每一个自由能为 1/2kT ，k 是波尔兹曼常数，t 是居里温度。电子在一半导体有三个自由度；他们能在三度空间的空间内活动。因此, 电子动能可以由方程（1-13）得到。Mn 是电子的有效质量和 Vth是平均热运动速度。在室温 (300K) 那热的速度是对于硅和砷化镓来说大约为 107 cm/s。 P17 在半导体的电子因此在各个方向快速地移动 。作热的运动单一电子可以形象的当做是原子晶格或杂质原子或其他散射中心碰撞产生的连续随即散射。就像 1- 7 所阐述的。电子的随即运动在一个足够长的电子周期内会产生一个净位移。碰撞的平均距离为平均自由程，碰撞的平均时间为平均自由时间。平均自由程的典型的值为**，平均自由时间为 1ps. 当一个小的电场 E 外加在半导体样品, 每电子会经历从那领域的一个力 - qE，而且在此碰撞期间，会被沿着场的方向加速。因此, 一另外的速度成份将会是重叠在那电子的热的运动之上。 这个另外的分量叫作漂流速度。由于随意热的运动产生电子的组合转移和漂流物分量如 Flgu rel_7(b)所示. 注意到，与外加电场方向相反的电子的一个净余换置。 P18 我们能获得漂流物速度 v , 藉由使冲量(力量 x 时间)相等于，在相同的时间内, 加载在电子在那期间自由的飞行碰撞的动量。 相等是有根据的，在一定稳态所有碰撞得到的冲量是丧失在对碰撞的晶格里。外加的电子的冲量是- qEt，得到的动量是 mn v n，我们得到(1-14)或(1-14a). 方...
