采取的措施严重度频度 探测度R.P.N1、原边MOS管电压，电流，静电，栅极电压失效61、元器件降额设计严格参照GJB35-932、选用市场成熟，高可靠MOS管3、MOS管栅极加瞬态抑制二极管4、变压器采用PCB走线设计，振荡尖锋电压低MOS管来料检验（应力，电流等）可靠性实验52401、可靠性实验筛选2、调试时重点察看DS波形8351202、原边MOS管散热接触不良，导致热击穿2１、MＯＳ管靠近金属底壳,便于散热2、灌封散热性好的导热胶导热3、加大PCB散热铜铂面积4、电路采用半桥设计，两个MOS管散热显微镜下观察5803、功率变压器散热不良或设计不良引发磁饱和11、设计时留足够余量2、PCB绕线宽度1.5mm以上，铜铂厚度2oZ2、散热胶导热来料检查5404、PCB布局，布线不符合安全间距要求1尽可能拉大间距 PCB布局布线审查2165、输入电容C2、C3电压击穿2选型时留足够余量来料检验可靠性实验3481、PCB走线太窄，散热不足，烧断1加宽走线，增加铜厚PCB布局布线审查2162、引出脚接触不良21、增加接触面积2、沉金处理3、焊盘孔深 度1.5mm以上PCB布局布线审查3483、焊盘设计不合理导致虚焊2合理设计焊盘PCB布局布线审查232输入功率回 路功能/要求项 目 名 称 ： 过 程 责 任 部 门 ： 编 制者 ： 编 制日 期 ： FEMA编 号 ： .无 输出电压值 ,引发输入设备 短 路输入主 功率回 路短路输入开 路无 输出电压频度（O）潜在失效起因/机理严重度(S)8措施执行结果风险顺序数R.P.N探测度（D）潜在失效后果潜在失效模式现行预防设计控制现行探测设计控制8文 件编 号 :潜 在 过 程 失效模 式 及 后 果 分 析 （设计FM EA)第 1 页 ，共 22 页采取的措施严重度频度 探测度R.P.N功能/要求项目名称： 过程责任部门： 编制者： 编制日期： FEMA编号： .频度（O）潜在失效起因/机理严重度(S)措施执行结果风险顺序数R.P.N探测度（D）潜在失效后果潜在失效模式现行预防设计控制现行探测设计控制文件编号:潜在过程失效模式及后果分析（设计FM EA)1、使能电路参数设置不合理3合理搭配参数原理图审查调试，测试记录表4962、基准源受干扰31、基准源远离功率电路2、信号地与功率地分开走线PCB布局布线审查4963、元器件降额余量不足3参照元器件降额设计要求原理图审查3721、输入电容电感参数不匹配31、设计时匹配参数2、选择X7R电容原理图审查调试，测试记录表3452、环路参数设计不合理3设计时匹配参数原理图审查调试，测试记录表4601、输...
