采取的措施严重度频度 探测度R
N1、原边MOS管电压，电流，静电，栅极电压失效61、元器件降额设计严格参照GJB35-932、选用市场成熟，高可靠MOS管3、MOS管栅极加瞬态抑制二极管4、变压器采用PCB走线设计，振荡尖锋电压低MOS管来料检验（应力，电流等）可靠性实验52401、可靠性实验筛选2、调试时重点察看DS波形8351202、原边MOS管散热接触不良，导致热击穿2１、MＯＳ管靠近金属底壳,便于散热2、灌封散热性好的导热胶导热3、加大PCB散热铜铂面积4、电路采用半桥设计，两个MOS管散热显微镜下观察5803、功率变压器散热不良或设计不良引发磁饱和11、设计时留足够余量2、PCB绕线宽度1
5mm以上，铜铂厚度2oZ2、散热胶导热来料检查5404、PCB布局，布线不符合安全间距要求1尽可能拉大间距 PCB布局布线审查2165、输入电容C2、C3电压击穿2选型时留足够余量来料检验可靠性实验3481、PCB走线太窄，散热不足，烧断1加宽走线，增加铜厚PCB布局布线审查2162、引出脚接触不良21、增加接触面积2、沉金处理3、焊盘孔深 度1
5mm以上PCB布局布线审查3483、焊盘设计不合理导致虚焊2合理设计焊盘PCB布局布线审查232输入功率回 路功能/要求项 目 名 称 ： 过 程 责 任 部 门 ： 编 制者 ： 编 制日 期 ： FEMA编 号 ：
无 输出电压值 ,引发输入设备 短 路输入主 功率回 路短路输入开 路无 输出电压频度（O）潜在失效起因/机理严重度(S)8措施执行结果风险顺序数R
N探测度（D）潜在失效后果潜在失效模式现行预防设计控制现行探测设计控制8文 件编 号 :潜 在 过 程 失效模 式 及 后 果 分 析 （设计FM EA)第 1 页 ，共 22 页采取的措施严重度频度 探测度R
N功能/要求项目名称： 过程责任部门：
