ESD防静电控制规范VIP专享

1/12南京美均电子科技有限公司受控状态：ESD 防静电控制规范文件编号：QD4.4.1-2018文件版本：A修改号：0编制审核批准ESD 防静电控制规范2/123/125.2.公司的静电敏感器件:5.2.1.5.2.2.5.2.3.5.2.4.5.2.5.5.2.6.527.5.2.8.5.2.9.5.2.10.5.2.11.5.2.12.MOS 器件、MOS 管及 MOS 集成电路。FET 器件、包括场效应管和集成电路。TTL 器件、包括各种逻辑门数字集成电路。AMP 放大器、比较器、调节器等模拟集成电路。X-ROM 存储体器件和记忆体器件、包括PROM、EPROM、SRAM、DRAM、FLASH 等集成电路。CPU 微处理器及各种 BGA 器件。各种二极管、三极管。各种半导体开关元件。各种厚膜和薄膜电阻。钽电解电容。SAW—声表面波器件。石英、晶振体器件。以上元器件组装的 PCBA 板。5.2.13.5.3.静电敏感区域的标识:5.3.1.5.3.2.5.3.3.5.34静电敏感区的区域界限应该用黄黑相间的斜条纹来标识，线条宽度为 5~10CM这两种斜条纹是专门用来标识静电敏感区的区域界限的，不可作为其它标识用。从静电敏感区域的入口处开始，在明显处还应贴上静电敏感区的警示标志，该标志应符合 GJB1649 的规定。如图 A:防静电容器（防静电周转箱，防静电元件盒等），元件架和运输车等器材上应有防静电标志，标志应置于明显且不易受到磨损的地方。如图 B:经过防静电液处理的物品和场所也应有静电敏感区域警示标志黄黑相间的斜条I 鼻-防静电标志。如图 C：5.3.5.含有 ESSD 的图纸资料，应有 ESSD 标志。5.3.6.设备的外部端口标志应符合 GJB1649 中第 5.8.3 条要求。5.3.7.整机包装标志应符合 GJB1649 中第 5.10 条要求。5.3.8.交付文件标志应符合 GJB1649 中第 5.9.1 条要求。6、静电敏感区域的工程环境防静电规范6.1.防静电工程环境的设计原则：ESD 防静电控制规范4/125/12ESD 防静电控制规范6/12设计防静电工程环境时,为达到静电防护的要求应遵循以下原则:6.1.1.抑制静电荷的积累和静电压的产生6.1.2.安全、迅速、有效的消除已产生的静电荷6.1.3.防静电工作区应按电子元器件静电敏感度确定防护所应达到的级别和程度一般的要求静电防护区内静电电压绝对值应小于 100V。6.1.4.防静电区域应标明区域界限并在明显处悬挂警示标志。6.1.5.在防静电工作区内禁止使用易产生静电荷的电荷源。表一为常见的电荷源:表ESD 防静电控制规范ESD 防静电控制规范8/12如鳄鱼夹，插头座等。6.3.4.接地电阻：指接地体与大地之间的接触电阻，静电保护接地电阻应小...