实用文档标准一．填空题1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的的作用。（二阶导数.内部势场）2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的（即量子态按能量如何分布）和（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度.费米分布函数）3．两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带电.达到热平衡后两者的费米能级。（正.相等）4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于方向上距布里渊区边界约 0.85 倍处.因此属于半导体。（[100].间接带隙）5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷）6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为.高于费米能级2kT 能级处的占据概率为。（1/2.1/1+exp（2））7．从能带角度来看.锗、硅属于半导体.而砷化稼属于半导体.后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙.直接带隙）8．通常把服从的电子系统称为非简并性系统.服从的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布）9.对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于的大小。（温度.禁带宽度）10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的 Ge 和 Si 材料•其原子均通过共价键四面体相互结合•属于结构；与 Ge 和 Si 晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石.闪锌矿）11. 如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢 k 不发生变化•则具有这种能带结构的半导体称为禁带半导体.否则称为禁带半导体。（直接.间接）12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有、、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射）13.半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：的直接复合和通过A.锗 B.磷 C.硼 D.锡标准禁带内的进行复合。（电子和空穴.复合中心）A.锗 B.磷 C.硼 D.锡标准14. 反向偏置 pn 结.当电压升高到某值时.反向电流急剧增加.这种现象称为 pn 结击穿.主要的击穿机理有两种：击穿和击穿。（雪崩.隧道）15. 杂质可显著改变载流子浓度；杂质可显著改变非平衡载流子的寿命.是有效的复合中心。（浅能级.深能级）二．选择题1．本征半导体是指（AA．不...
