长沙龙驰闪存市场资料 一、闪存的种类：NAND 和 NOR flashNOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于 1988 年首先开发出 NORflash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了 NANDflash 结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存。相“flash 存储器”常常可以与相“NOR 存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚 NAND闪存技术相对于 NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时 NOR 闪存更适合一些。而 NAND 则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR 的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在 flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用 NAND 的困难在于flash 的管理和需要特别的系统接口。性能比较:lash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而 NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 0。由于擦除 NOR 器件时是以 64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s，与此相反，擦除 NAND 器件是以 8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要 4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。● NAND 的写入速度比 NOR 快很多。 ● NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。接口差别 NORflash 带有SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NA...
