1.3.3 次磷酸盐的分解在制备磷化物的过程中，大多数时候我们会选择利用有机磷和者无机磷，但是通过次磷酸盐的分解[47]这一途径往往更加简单。比较典型的有：Ni2P，Cu3P 等等，他们都能在金属盐和次磷酸盐的物理混合[48]作用发生之后，进而浸渍到金属氧化物中，还可以通过亚磷酸钠溶液的作用达到相同的效果。在此之后，需要在保护气体的作用下，进行烧结，而此时温度需要达到 300℃。其中比较温和的途径则是：在此中金属源在下流被分离，还原，而到了下游，就可以发挥磷酸的歧化作用，就会产生相应的 PH3，这也就是我们所称的次磷酸钠的路线。和 TOP 路线进行比较往往会发现，就前驱物的选择而言，次磷酸钠的路线往往更宽。比如，我们在生产活性更高的磷化物时发现难度往往更小。此时，该路线当中局部规整反应是造成性高的主要原因 [49]。现阶段，现有学者针对二维磷化钴展开过专业的研究。袁菲菲等[50]在研究时，首先强还原剂 NaH2PO2·H2O 与白磷发生反应，进而得到 PH3 ，将其作为研究的磷源，严格规划NaH2PO2·H2O 用量，在酸性体系下，选择溶剂热法为具体的途径，然后就可以制备纳米花自组装成的磷化钴（Co2P） 二维墙壁微结构。而通过水热法经 Co（OH）F/（CC）的转换作用，就可以的得到相应的自我支持的 CoP 纳米线阵列。来自 Co(OH)F/CC 的 CoP/CC 的纳米线结构，Co(OH)F/CC 在相应的磷化作用之后，需要在 300℃的环境中进行反应，时间为 60 分钟。在碳布生长的 CoP 纳米线有利于酸性和碱性环境中的析氢反应，并且提供了一种全新的途径 [51]。在钛铂或者碳布上的磷酸盐的直接生长，并且其后氢允许催化剂可以加倍吸附机械，这点尤为关键。比如，如果想电流密度达到 2 mA cm-2，那么就需要对磷化铁纳米线阵列的电位也有相应的要求，即需要其达到 26 mV，这是对于直接生长在钛的磷化铁纳米线阵来说；而至于固定在电解质溶液的磷化铁纳米线残阵来说，对于电位的要求是225 mV。直接生长在钛面上的 FeP 的相似结构，就可以很好地证实其高性能。另一方面，还有其他的方法也可以达到相同的效果。比如，通过硝酸盐溶液中的电化学沉积应用于 CoP 和 Ni2P 来实现。因为用于 Ni2P 的纳米颗粒组成的紧密薄膜结构的作用，我们可以忽略电沉积可以用于 CoP 的纳米片这一特性。如果质量负载相同，其他条件不变的情况下， Ni2P 薄膜我我不如 CoP 纳米片阵列。从这一现象不难发现， HER 的活性与结构高度息息...
