LED 静电击穿原理 以 PN 结结构为主得 LED,在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。若得不到及时释放,LED 得两个电极上形成得较高电压将直接加上 led 芯片得 PN 结两端。 当电压超过 LED 得最大承受值后,静电电荷将以极短得瞬间(纳秒级别)在 LED 芯片得两个电极之间进行放电,功率焦耳得热量将使得 LED 芯片内部得导电层、PN 发光层得局部形成高温,高温将会把这些层熔融成小孔,从而造成漏电以及短路得现象。ESD:Electrostatic Discharge,即就是静电放电,每个从事硬件设计与生产得工程师都必须掌握 ESD 得相关知识。为了定量表征 ESD 特性,一般将 ESD 转化成模型表达方式,ESD 得模型有很多种,下面介绍最常用得三种。 1、HBM:Human Body Model,人体模型: 该模型表征人体带电接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型得 ESD 等级。 ESD 人体模型等效电路图及其 ESD 等级 2、MM:Machine Model,机器模型: 机器模型得等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)就是 200pF,等效电阻为 0,机器模型与人体模型得差异较大,实际上机器得储电电容变化较大,但为了描述得统一,取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件得损害,机器模式远大于人体模型。 ESD 机器模型等效电路图及其 ESD 等级 3、CDM:Charged Device Model,充电器件模型: 半导体器件主要采纳三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用得塑料袋、传 递用得塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器得一个极板而存贮电荷。CDM 模型就就是基于已带电得器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立得,器件带电模型如下: ESD 充电器件模型等效电路图及其 ESD 等级 器件得 ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件得 ESD 数据,一般给出得就是 HBM 与 MM。 IEC 模式与上面几种模式相似,只就是放电电阻、储能电容规格暗 IEC 标准,具体如下MM、HBM、IEC 放电模式比较