控制系统操作界面简介单晶生长过程的参数设置、参数显示及控制过程操作由控制柜上的工业控制机上的触摸式显示屏完成。人机界面 HMI 采纳 15”触摸屏，拉晶工艺全过程直观显示，操作简单明了。控制系统参数以曲线及数字方式进行显示及保存，过程操作以显示画面的切换及画面相关操作来完成。操作人员通过操作界面来控制系统各单元以及晶体生长过程。系统上电后自动进入晶体生长主界面.其它的界面可以通过触摸屏幕下方的相应区域调出，也可以通过键盘上的 F2-F7 调出。一．晶体生长主界面（主画面 F1)晶体生长控制系统的主界面。直观显示晶体生长过程中系统主要运行参数及设备的运行状态,其操作画面如下图所示。在每次系统上电后系统自动进入晶体生长主界面。也可在其它界面下通过触摸屏幕下方的【主画面 F1】键调出主界面。界面说明: 上标题栏从左至右分别是：晶体长度（mm）信号，坩埚位置(mm）信号， 软件版本号及当前时间信息。 下标题栏从左至右分别是：F1-F7 界面操作按钮。 界面的中间是系统的运行参数：左边是系统主要运行参数，由上至下分别是晶升晶转速度，埚升埚转速度，加热器功率及温度信号，质量流量计开度控制及显示，主室泵开度控制及显示,主炉室真空信号，系统报警显示。 中间是单晶炉运行状态，其中包括氩气流量控制状态，主室泵付室泵运行状态，晶升埚升限位开关,水温指示及水压指示，系统限位报警提示，晶升埚升速度系统限位开关状态,冷却水压力表状态及液压限位开关状态。右边是过程控制说明及操作按键。选择相应的控制过程并且选择自动控制后确认即可进入自动控制状态。 如下图所示:界面说明： 该界面为投入自动控制界面，选择相应的控制过程投入自动控制程序。控制过程如下：真空测试，加热,人工操作 1，引细颈,放肩,收肩,等径，收尾，人工操作 2，冷却，人工操作 3。“系统参数设置”是晶体生长控制系统的参数设置界面,点击“真空测试”进入如下界面：界面说明： 在此界面中，需要设置自动抽空步骤和检测炉体泄露率：1。极限真空：设定在一定时间内,先将主室真空阀打开到要求的开度,抽空满足设定时间后，假如达到预先的真空设定值，则自动进入下一过程自动检漏，否则，将进行两次循环充气过程。 2.泄漏率 : 达到设定稳定时间后开始计时检漏，假如炉体泄露率能达到目标泄露率，系统自动进入下一过程预备加热.3.预备加热：等泄露率达到指标后，系统根据设定时间和开度打开主室阀，充气使炉内压力达到设定...
