一 填空题（1）材料就是具有使其能够用于机械、结构、设备与产品性质得物质。这种物质具有一定得性能或功能。（2）材料根据化学组成、结构一般可分为金属材料、无机非金属材料、聚合物材料与复合材料。（3）材料根据使用性能可分为结构材料与功能材料。结构材料更关注于材料得力学性能；而另一种则考虑其光、电、磁等性能。（4）材料化学就是关于材料得结构、性能、制备与应用得化学。（5）一般材料得结构可分为三个层次，分别就是微观结构、介观结构与宏观结构。（6）对于离子来说，通常正离子半径小于相应得中性原子，负离子得半径则变大。（7）晶体可以瞧成有无数个晶胞有规则得堆砌而成。其大小与形状由晶轴（ a，b，c）三条边与轴间夹角（α，β，γ）来确定，这 6 个量合称晶格参数。（8）硅酸盐基本结构单元为硅氧四面体，四面体连接方式为共顶连接。（9）晶体得缺陷根据维度划分可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷与体缺陷，其延伸范围为零维、一维、二维与三维。（10）位错分为韧型位错、螺型位错以及由前两者组成得混合位错三种类型。（11）固溶体分为置换型固溶体与填隙型固溶体，前者溶质质点替代溶剂质点进入晶体结点位置；后者溶质质点进入晶体间隙位置。（12）材料热性能主要包括热容、热膨胀与热传导。（13）材料得电性能就是指材料被施加电场时得响应行为，包括有导电性、介电性、铁电性与压电性等。（14）衡量材料介电性能得指标为介电常数、介电强度与介电损耗。（15）磁性得种类包括：反磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性与铁氧体磁性等。（16）铁磁材料可分为软磁材料、硬磁材料与矩磁材料。（17）材料得制备一般包括两个方面即合成与控制材料得物理形态。（18）晶体生长技术主要有熔体生长法与溶液生长法，前者主要包括有提拉法、坩埚下降法、区融法与焰融法等。（19）溶液达到过饱与途径为：一，利用晶体得溶解度随改变温度得特性，升高或降低温度而达到过饱与；二，采纳蒸发等办法移去溶剂，使溶液浓度增高。（20）气相沉积法包括物理气相沉积法 PVD 与化学气相沉积法 CVD。（21）液相沉淀法包括直接沉淀法、共沉淀法、均匀沉淀法与水解法。（22）固态反应一般包括相界面上得反应与物质迁移两个过程，反应物浓度对反应得影响很小，均相反应动力学不适用。（23）自蔓延高温合成根据原料组成可分为元素粉末型、铝热剂型与混合型。（24）金属通常可分为黑色金属与有色金属；黑色金属就是指铁、铬、锰金属与它们得合金。（25...
