结型场效应管（ＪＦ ET)得结构与工作原理1、 J Ｆ ET 得结构与符号 Ｎ沟道 JFE Ｔ P 沟道Ｊ FET２、 工作原理（以 N 沟道 JFE Ｔ为例)N 沟道 JFET 工作时,必须在栅极与源极之间加一个负电压-—V Ｇ S＜ 0,在 D－S 间加一个正电压—— VDS＞0、栅极—沟道间得 PN 结反偏，栅极电流ｉ G»０,栅极输入电阻很高(高达 10 ７ W 以上).Ｎ沟道中得多子(电子)由 S 向 D 运动,形成漏极电流 i Ｄ。iD得大小取决于Ｖ DS得大小与沟道电阻。改变Ｖ GS可改变沟道电阻，从而改变 iD 。 主要讨论 VGS对 iD得控制作用以及 V Ｄ S对 i Ｄ得影响。① 栅源电压Ｖ GS对 iD得控制作用当 V Ｇ S〈0 时，PN 结反偏,耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，I Ｄ减小；ＶＧ S更负时，沟道更窄，ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断， I Ｄ≈０。这时所对应得栅源电压 VGS称为夹断电压 V Ｐ。 ② 漏源电压Ｖ DS对 iD得影响在栅源间加电压 VGS < ０ ，漏源间加正电压Ｖ DS > 0。则因漏端耗尽层所受得反偏电压为 VGD＝VG Ｓ-VDS，比源端耗尽层所受得反偏电压 VGS大，(如:V Ｇ S=-2V, VDS =3V， VP=－９Ｖ,则漏端耗尽层受反偏电压为 VGD＝—5V,源端耗尽层受反偏电压为－2V）,使靠近漏端得耗尽层比源端宽,沟道比源端窄,故 VDS对沟道得影响就是不均匀得,使沟道呈楔形。当 VDS增加到使 V Ｇ D=Ｖ GS－V Ｄ S ＝VP 时,耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。当 VD Ｓ继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大,使Ｖ D Ｓ主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区得载流子都拉至漏极,形成漏极电流 I Ｄ.预夹断后 ID基本不随 V ＤＳ增大而变化。 ① VG Ｓ对沟道得控制作用 当 VGS<0 时,P Ｎ结反偏®耗尽层加厚®沟道变窄。 V ＧＳ继续减小，沟道继续变窄.当沟道夹断时，对应得栅源电压 VGS称为夹断电压 VP ( 或 V Ｇ S(ｏ ff) ）.对于 N 沟道得Ｊ F ＥＴ,ＶＰ 〈0.② VDS对沟道得控制作用 当Ｖ GS=0 时,VD Ｓ ® Ｉ D ., G、D 间 PN 结得反向电压增加，使靠近漏极处得耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当 VDS增加到使 VGD=V Ｐ 时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时Ｖ D Ｓ ®夹断区延长®沟道电阻。®I Ｄ基本不变.③ VGS与 VDS同时作用时 当 VP 〈V Ｇ S〈0 时，导电沟道更容易夹断...
