硅碳半导体功率器件 在用新型半导体材料制成的功率器件中，最有希望的是碳化硅(sic)功率器件。它的性能指标比砷化稼器件还要高一个数量级。碳化硅与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点：高的禁带宽度，高的饱和电子漂移速度，高的击穿强度，低的介电常数，以及高的热导率。上述这些优异的物理特性，决定了碳化硅在高温、高频率、高功率的应用场合下是极为理想的半导体材料。在同样的耐压和电流水平下，Sic 器件的漂移区电阻仅为硅器件的 1/200，即使高耐压的 sic 场效应管的导通压降，也比单极型、双极型硅器件的低得多。而且，sic 器件的开关时间可达 10ns 量级，并具有十分优越的 FBSOA Sic 可以用来制造射频和微波功率器件，各种高频整流器、MESFETs, MOSFET<和 1FETs等。Sic 高频功率器件已在 Mutomla 西门子变频器开发成功，并应用于微波和射频装置。GE 公司正在开发 Sic 功率器件和高温器件〔包括用于喷气式引擎的传感器）。西屋公司已经制造出了在 26GHx 频率下工作的甚高频的 MESFEI。ABB 公司正在研制高功率、高电压的 Sic 整流器和其他 sic 低频功率器件，用于工业和电力系统理论分析表明，sic 功率器件非常接近于理想的功率器件。可以预见，各种 sic 器件的讨论与开发，必将成为功率器件讨论领域的主要潮流之一。可是，sic 材料和功率器件的机理、理论、制造工艺均有大量问题需要解决，它们要真正给电力电子技术领域带来又一次革命，估量还需要至少 10 年左右的时间。
