PNP双极型晶体管的设计

目 录1。课程设计目的与任务…………………………………………………………22。设计的内容……………………………………………………………………2 3.设计的要求与数据……………………………………………………………24。物理参数设计…………………………………………………………………3 4.1 各区掺杂浓度及相关参数的计算………………………………………3 4.2 集电区厚度 Wc 的选择……………………………………………………6 4。3 基区宽度 WB………………………………………………………………6 4.4 扩散结深…………………………………………………………………10 4.5 芯片厚度和质量…………………………………………………………10 4.6 晶体管的横向设计、结构参数的选择…………………………………105。工艺参数设计…………………………………………………………………11 5。1 工艺部分杂质参数………………………………………………………11 5.2 基区相关参数的计算过程………………………………………………11 5.3 发射区相关参数的计算过程……………………………………………13 5。4 氧化时间的计算…………………………………………………………146.设计参数总结…………………………………………………………………167。工艺流程图……………………………………………………………………178.生产工艺流程…………………………………………………………………199.版图……………………………………………………………………………2810。心得体会……………………………………………………………………2911。参考文献……………………………………………………………………30 PNP 双极型晶体管的设计1、课程设计目的与任务《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、《微电子器件工艺》和《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管的设计方法.要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵向结构参数设计→晶体管的图形结构设计→材料参数的选取和设计→制定实施工艺方案→晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练,为从事微电子器件设计、集成电路设计打下必要的基础。2、设计的内...