第1页共22页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共22页校园数码业务部门培训材料校园数码科技有限公司www.campusdigital.com2010年1月1日第2页共22页第1页共22页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共22页CPU篇Cpu主流桌面级厂商分为intel和amd公司Intel目前主流构架为酷睿构架。高端为i7架构。低端E1200~E2200,65nm制造工艺。接口为775。核心数量为2。主频为1.6~2.0G.中端E5200~E8400,45nm制造工艺。接口为775。核心数量为2。主频为2.5~3.0G.中高Q8200~Q9650,45nm制造工艺。接口为775。核心数量为4。主频为2.33~3.0G.高端I7920~I7965,45nm制造工艺。接口为1366。核心数量为4。主频为2.66~3.2G.AMD目前主流架构为K8（速龙）K10（羿龙）架构。中低端Sempron2100~Athlon7750,65nm制造工艺。接口为940。核心数量为2。主频为1.8~2.8G.中高端Phenom8450~Phenom8750,65nm制造工艺。接口为940。核心数量为3。主频为2.1~2.5G.中高端Phenom9150~Phenom9950,65nm制造工艺。接口为940。核心数量为4。主频为2.2~2.6G.IntelCeleronE12001.6GHz800FSB512KBL2AMDSempron2100+1.8GHz256KBL2IntelPentiumDualCoreE21401.6GHz800FSB1MBL2AMDAthlon64X24000+2.1GHz512KBL2IntelPentiumDualCoreE52002.5GHz800FSB2MBL2AMDAthlon64X25000+2.6GHz512KBL2IntelCore2DuoE45002.2GHz800FSB2MBL2AMDAthlon64X25400+2.8GHz512KBL2IntelCore2DuoE65502.33GHz1333FSB4MBL2AMDAthlonX277502.7GHz1ML22ML3IntelCore2DuoE72002.53GHz1066FSB3MBL2AMDPhenomX384502.1GHz1.5ML22ML3IntelCore2DuoE84003GHz1333FSB6MBL2AMDPhenomX386002.3GHz2MBL3IntelCore2QuadQ82002.33GHz1333FSB2MBx2L2AMDPhenomX495002.2GHz2MBL3IntelCore2QuadExtremeQ96503GHz1333FSB6MBx2L2AMDPhenomX499002.6GHz2MBL3IntelCorei79202.66GHz4.8GHzQPI1ML28ML3IntelCorei7Extreme9653.2GHz6.4GHzQPI1ML28ML3第3页共22页第2页共22页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共22页主板：主板，又叫主机板(mainboard)、系统板(systemboard)和母板(motherboard)；它安装在机箱内，是微机最基本的也是最重要的部件之一。主板一般为矩形电路板，上面安装了组成计算机的主要电路系统，一般有BIOS芯片、I/O控制芯片、键盘和面板控制开关接口、指示灯插接件、扩充插槽、主板及插卡的直流电源供电接插件等元件。主板的另一特点，是采用了开放式结构。主板上大都有6-8个扩展插槽，供PC机外围设备的控制卡(适配器)插接。通过更换这些插卡，可以对微机的相应子系统进行局部升级，使厂家和用户在配置机型方面有更大的灵活性。性价比较高的映泰主板。第4页共22页第3页共22页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共22页内存DDRSDRAM内存DDRSDRAM是DoubleDataRateSynchronousDynamicRandomAccessMemory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDRSDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR266与PC133SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12GB/s，比PC133SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDRSDRAM，是目前最常用的内存类型。DDR2DDR2的定义：DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR2内存的频率此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2...
