I分子印迹电化学传感器的制备及性能研究摘要本文制备了一种对铅离子(Pb2+)具有高灵敏度,选择性的离子印迹电化学传感器
将还原氧化石墨烯银纳米复合材料(rGO/AgNPs)作为增敏剂,修饰在玻碳电极表面
通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)对增敏材料进行了分析表征
以吡咯(Py)为功能单体,采用电聚合法在已修饰的电极表面制备离子印迹膜(rGO/AgNPs/IIP-GCE)
利用差分脉冲伏安法(DPV)、电化学阻抗谱(EIS)和循环伏安法(CV)对印迹电化学传感器进行性能表征
结果表明,该传感器在5
0×10-9~5
0×10-5mol/L范围内,响应电流与金属离子浓度的负对数呈现良好的线性关系,线性回归方程为I(μA)=13
1491-2
3441logC,相关系数R2=0
9927,检出限为5
0×10-11mol/L(S/N=3)
该离子印迹电化学传感器成功应用于水环境中Pb2+的痕量检测
关键词:分子印迹;还原氧化石墨烯银纳米复合材料;电化学;铅离子II齐齐哈尔大学毕业论文AbstractAnIonImprintedElectrochemicalSensorwithhighsensitivityandselectivityforleadion(Pb2+)hasbeenprepared
Reducedgrapheneoxidesilvernanocomposites(rGO/AgNPs)assensitizers
ThesensitizemterialsarechaterizedbyFouriertransforminfredspectrscopy(FTIR),X-raydifaction(XRD)andscaningeletronmicscopy(SEM)
Ioniprintedfilm(RGO/AgNPs/