电子技术基础习题答案VIP免费

第1页共46页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共46页中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平PublishingHouseofElectronicsIndustry北京BEIJING第2页共46页第1页共46页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共46页《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。1.2半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流IFM、最大反向工作电压URM、最大反向电流IRM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×第3页共46页第2页共46页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共46页三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、答：（1）N型锗材料普通二极管；（2）N型锗材料开关二极管；（3）N型硅材料整流二极管；（4）N型硅材料稳压二极管；2、答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。3、答：使用万用表的R×100Ω或R×1KΩ档测二极管的正反向电阻值，比较两次测量结果，其中电阻值小的那次测试中黑表笔所接被测二极管的引线为正极，红表笔所接被测二极管的引线为负极。若测量正向电阻时，表针指示在中间或中间偏右处，即为硅二极管；表针指示偏到接近0Ω处，即为锗二极管。若测量正反向电阻时，正向电阻和反向电阻均较小的二极管，其已短路损坏；正向电阻和反向电阻均很大的二极管，其已开路损坏。五、分析与计算1、解：a)V1导通UAB=-6V；b)V2截止UAB=-12V；c)V3导通UAB=8V；d）V4截止UAB=3V。2、解：⑴、因为UA=UB=0V，而UCC=6V，所以两个二极管VD1和VD2承受同样大正向电压，都处于导通状态，均可视为短路，输出端F的电位UF为：UF=UA=UB=0V电阻R中的电流为：IR=UCC−UFR=(6−0)V3KΩ=2mA两个二极管VD1和VD2中的电流为：IDA=IDB=12IR=12×2mA=1mA⑵、因为UA=3V,UB=0V，而UCC=6V，所以两个二极管VD2承受正向电压最高，处于导通状态，均视为短路，输出端F的电位UF为：UF=UB=0V电阻R中的电流为：IR=UCC−UFR=(6−0)V3KΩ=2mAVD2导通后，VD1上加的是反向电压，因而截止，所以两个二极管VD1和VD2中的电流为：IDA=0mAIDB=IR=2mA⑶、因为UA=UB=3V，而UCC=6V，所以两个二极管VD1和VD2承受同样大正向电压，都处于导通状态，均可视为短路，输出端F的电位UF为：UF=UA=UB=3V电阻R中的电流为：IR=UCC−UFR=(6−3)V3KΩ=1mA第4页共46页第3页共46页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共46页两个二极管VD1和VD2中的电流为：IDA=IDB=12IR=12×1mA=0.5mA1.3稳压管一、填空题1、（稳压管、特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管、普通二极管的单向导电特性、工作于反向击穿状态)2、（截止、增大、击穿、基本不变）3、（减小或消失、增大、彻底击穿）4、(电路的稳压环直流电源电路、2CW、2DW)5、（反向击穿、击穿电压UZ、稳压作用）6、（稳定电压UZ、稳定电流IZ、最大稳定电流IZmax；）7、（面、硅晶体、反向击穿）二、判断题1、√2、×3、×4、√5、×三、选择题1、A；2、C1、C2；3、C；4、C；5...