第1页共33页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共33页课程设计课程名称微电子器件工艺课程设计题目名称PNP双极型晶体管的设计学生学院___材料与能源学院____专业班级08电子材料1班学号3108007452学生姓名____123___指导教师____魏爱香、何玉定____2011年6月17日广东工业大学课程设计任务书第2页共33页第1页共33页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共33页一、课程设计的内容设计一个均匀掺杂的pnp型硅双极晶体管，满足T=300K时，基区掺杂浓度为NB=1016cm-3,`共发射极电流增益β=50。BVCEO=60V，设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年n=3)二、课程设计的要求与数据1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE,NB,和NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc,发射结结深Xje等。4．根据扩散结深Xjc,发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。6.根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。7．撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1.材料参数设计2.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形）4．工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6.写设计报告四、课程设计进程安排第3页共33页第2页共33页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共33页序号设计各阶段内容地点起止日期1教师布置设计任务，讲解设计要求和方法教1-4012011.6.62学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定图书馆，教1-4012011.6.73设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计图书馆，教1-4012011.6.84.教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题教1-4072011.6.95晶体管工艺参数设计，实验室教1-4022100.6.10-2011.6.116绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室教1-4022011.6.122011.6.138教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题实验室教1-3222011.6.149总结设计结果，写设计报告实验室教1-3222011.6.1510写课程设计报告图书馆，宿室2011.6.1611教师组织验收，提问答辩实验室2011.6．17五、应收集的资料及主要参考文献1．《半导体器件基础》RobertF.Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004.2．《半导体物理与器件》赵毅强等译，电子工业出版社，2005年.3．《硅集成电路工艺基础》，关旭东编著，北京大学出版社，2005年.发出任务书日期：2011年6月6日指导教师签名：计划完成日期：2011年6月17日基层教学单位责任人签章：主管院长签章：目录一、课程设计目的与任务……………………………………………………2第4页共33页第3页共33页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共33页二、课程设计时间……………………………………………………………2三、课程设计的基本内容………………………………………………………23.1微电子器件与工艺课程设计――npn双极型晶体管的设计…………………23.2课程设计的主要内容：………………………………………………………2四、课程设计原理…………………………………………………………………3五、工艺参数设计…………………………………………………………………35.1晶体管设计的一般步骤：……………………………………………………35.2材料参数计算…………………………………………………………………45.2.1各区掺杂浓度及相关参数的计算…………………………………………45.2.2集电区厚度Wc的选择………………………………………………………85.2.3基区宽度WB…………………………………………………………………85.2.4晶体管的横向设计……...
