LED的质量技术大全VIP免费

第1页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共9页LED的质量技术大全一：LED死灯只有3个原因：1.质量差，正常工作都会死灯2.工作环境温度高3.工作电流大你的LED防水电源一只一个放在灯壳里，防水电源是靠空气给电源外壳散热的，你放在在密封的灯壳里面根本就散热不了，影响整个灯内部的热量比较高，如果工作时间长，加上现在户外温度高，你们的LED质量不是特别好，受不了这么高的温度，肯定会死灯想做好一个产品不是那么容易的，你们当花钱买教训了，你们产品为什么不经过一段长期时间老化测试就批量生产呢二：LED灯的质量鉴定方法LED的质量主要是看用的芯片和生产工艺，用眼睛是看不出来区别的，要用老化设备和检测设备如果你把几个厂家的LED放在老化仪上用大电流老化24小时或者更长时间，你再去测量几个厂家的LED亮度，看那个led发光强度衰减最小，衰减最小那个质量就最好如果没有测量设备，简单点的方法，把几个厂家的LED都一起用30-40MA的大电流点亮或者加温老化一段时间，那个厂家的LED死灯最快那个质量就最差三：温升LED的波长会改变吗？对LED有什么样的影响？解答一：温升led的波长会改变，随着温度的升高，波长会往长波段漂移。比如正常温度下波段是450nm的蓝光led，温度上升10摄氏度，波长往长波段范围漂移1纳米。而且光源的一致性、均匀度变差解答二：LED器件的温升效应及其对策文章较详尽地阐述了结温升高对LED光输出强度、LEDP-N结的正向电压及发光颜色的影响。指出当结温升高时，输出光强变弱，正向电压减小，发光波长发生红移。在结温升得足够高时，这些变化将从可逆变为不可恢复的永久性衰变。文章进一步指出，LED输入功率是器件热效应的唯一来源，设法提高器件的电光转换效率及提高器件的散热能力是减小LED温升效应的主要途径。A、引言众所周知，LED是一种电发光器件，其基本的物理过程是电能向光能的转变。所谓提高LED的功率，即是提高电输入能量，同时又能获得尽可能大的光功率输出。通常将单位输入功率所产生的光能（光通量）谓之光电转换功率，简称光效。早期的LED由于光效很低（-0.1lm/w），亮度很低，通常只用于表示亮、暗的状态，作指示灯之用。上世纪九十年第2页共9页第1页共9页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共9页代初，超高亮四元系LED的出现，使器件亮度有了数量级的增长，特别是紧接着的GaN基蓝、绿光及白光LED的出现，使LED的应用方向发生了巨大的改变。固态照明已成为21世纪人类追求的重要目标。显然，不断地提高LED的输入功率与发光效率是实现通用照明的必由之路。假设LED的光效为100lm/w，那么要达到一只40支光（瓦）的白炽灯所发出的600lm的光通量，LED的输入功率必须达到6w。然而，目前一只Φ5的标准LED的输入功率通常为0.04～0.07w，远不能满足实用照明的需要。大量实践表明，LED不能加大输入功率的基本原因，是由于LED在工作过程中会放出大量的热，使管芯结温迅速上升，输入功率越高，发热效应越大。温度的升高将导致器件性能的变化与衰减，甚至失效。本文就功率器件中的升温效应对性能的影响及其如何减小这种升温效应的途径作一些简明的讨论。B、LED器件温升估计设芯片面积为1.2×1.2mm2，厚度为200um，GaAs衬底。由于外延层很薄，忽略外延层材料与衬底之间的差异，不考虑电极的影响，那么芯片的体积约为2.88×10×4cm3。GaAs晶体的比重为5.318（克/cm3），故芯片重量约为15.3×10-4克。设器件的工作电流为100mA，如其中约90％的电功率转变为热，那么在不考虑芯片向周围环境散热的条件下，器件在接通电流20分钟后，计算得芯片的温度可达到5×105?C，计算中使用的GaAs晶体比热数据为0.33焦耳/克?度。可见其温升效应的严重性。这里只是把芯片作为一个均匀的发热体加以考虑，如考虑到结处温升的集中效应，情况将更加严重。庆幸的是，在芯片的升温过程中，芯片不可能处于绝热状态，而总是以某种方式与其周围的介质或环境进行着热交换，最终达到热平衡，使芯片的温度维持在一个较低的水准上。C、结温对LED性能的影响1、结温对LED光输出的影响实验指出，发红、黄光的InGaAlP...